Справочник MOSFET. IRFS624A

 

IRFS624A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS624A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS624A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  samsung
 irfs624a.pdf pdf_icon

IRFS624A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.1 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) : 0.742 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 7.1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS624A

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.2. Size:285K  1
 irfs624.pdf pdf_icon

IRFS624A

 7.3. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS624A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS543 , IRFS550A , IRFS610A , IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFP250 , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 .

 

 
Back to Top

 


 
.