IRFS624A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS624A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS624A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS624A даташит

 ..1. Size:511K  samsung
 irfs624a.pdf pdf_icon

IRFS624A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.1 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) 0.742 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Valu

 7.1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS624A

November 2001 IRF624B/IRFS624B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 7.2. Size:285K  1
 irfs624.pdf pdf_icon

IRFS624A

 7.3. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS624A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS543, IRFS550A, IRFS610A, IRFS614A, IRFS620, IRFS620A, IRFS622, IRFS624, IRF1010E, IRFS625, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640