MDV3604URH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDV3604URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12.9 ns
Выходная емкость (Cd): 338 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN33
Аналог (замена) для MDV3604URH
MDV3604URH Datasheet (PDF)
1.1. mdv3604urh.pdf 
Size:833K _magnachip
MDV3604 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1mΩ General Description Features The MDV3604 uses advanced MagnaChip’s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -20A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load < 10.0mΩ @V = -20V GS switching applications common in Notebook Computers < 12.1mΩ @V = -10V GS
4.1. mdv3605urh.pdf Size:926K _magnachip
MDV3605 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 18.0mΩ General Description Features The MDV3605 uses advanced MagnaChip’s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -20A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load < 18.0mΩ @VGS = -10V switching applications common in Notebook Computers < 28.0mΩ @VGS = -5V and Po
Другие MOSFET... MDV1526URH , MDV1527URH , MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , BUZ10 , MDV3605URH , MDV5524URH , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUS100N02 | RUR040N02TL | RUR040N02FRA | RUR020N02TL | RUQ050N02TR | RUQ050N02FRA | RUM003N02T2L | RUM002N05T2L | RUM002N02T2L | RUM001L02 | RUL035N02TR | RUF025N02TL | RUF015N02TL | RUE003N02TL | RUE002N02TL |