MDV3604URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDV3604URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN33
MDV3604URH Datasheet (PDF)
mdv3604urh.pdf

MDV3604Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1m General Description Features The MDV3604 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -20A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load
mdv3605urh.pdf

MDV3605Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 18.0m General Description Features The MDV3605 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -20A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load
Другие MOSFET... MDV1526URH , MDV1527URH , MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , CS150N03A8 , MDV3605URH , MDV5524URH , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C .
History: DH026N06D | SUB60N06-18
History: DH026N06D | SUB60N06-18



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200