PDC4801R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PDC4801R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: PPAK5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PDC4801R Datasheet (PDF)
pdc4801r.pdf

40V N-Channel MOSFETs PDC4801R General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This Q1 40V 13m 39A advanced technology has been especially tailored to Q2 40V 6.8m 60A minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the Features
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SIHG17N80E | IRF7240 | NTMS4917NR2G | BUK114-50S | IRF3707SPBF | FQB8N60CFTM | 2SK3434-S
History: SIHG17N80E | IRF7240 | NTMS4917NR2G | BUK114-50S | IRF3707SPBF | FQB8N60CFTM | 2SK3434-S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor