PMF250XN - описание и поиск аналогов

 

PMF250XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMF250XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для PMF250XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF250XN даташит

 ..1. Size:870K  nxp
 pmf250xn.pdf pdf_icon

PMF250XN

PMF250XN 30 V, 0.9 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 7 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas

 0.1. Size:714K  nxp
 pmf250xne.pdf pdf_icon

PMF250XN

PMF250XNE 30V N-channel Trench MOSFET 28 April 2016 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

Другие MOSFET... 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P , PDC4801R , IRFZ48N , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.