Справочник MOSFET. PMF250XN

 

PMF250XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMF250XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для PMF250XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMF250XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  nxp
 pmf250xn.pdf pdf_icon

PMF250XN

PMF250XN30 V, 0.9 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 7 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very fas

 0.1. Size:714K  nxp
 pmf250xne.pdf pdf_icon

PMF250XN

PMF250XNE30V N-channel Trench MOSFET28 April 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disch

Другие MOSFET... 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P , PDC4801R , RU7088R , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 .

History: PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | AUIRFSL8403 | HTJ600N06 | AP99T03GP | VBE1638

 

 
Back to Top

 


 
.