IRFS630 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS630 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  1
 irfs630 irfs631.pdf pdf_icon

IRFS630

 0.1. Size:859K  1
 irf630b irfs630b.pdf pdf_icon

IRFS630

IRF630B/IRFS630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

 0.2. Size:508K  samsung
 irfs630a.pdf pdf_icon

IRFS630

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.333 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 8.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS630

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS610A , IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRLZ44N , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 .

History: P0510AT | P0908AD

 

 
Back to Top

 


 
.