IRFS630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS630 даташит

 ..1. Size:284K  1
 irfs630 irfs631.pdf pdf_icon

IRFS630

 0.1. Size:859K  1
 irf630b irfs630b.pdf pdf_icon

IRFS630

IRF630B/IRFS630B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

 0.2. Size:508K  samsung
 irfs630a.pdf pdf_icon

IRFS630

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.333 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Valu

 8.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS630

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS610A, IRFS614A, IRFS620, IRFS620A, IRFS622, IRFS624, IRFS624A, IRFS625, AON6380, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, IRFS640A, IRFS642