Справочник MOSFET. MSD40P03

 

MSD40P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD40P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSD40P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD40P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  bruckewell
 msd40p03.pdf pdf_icon

MSD40P03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD40P03 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards

Другие MOSFET... MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , 2N7002 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 .

History: STS8213 | WM03DN06D | STP21N90K5 | HYG032N03LR1C1 | 2SK3814 | APM4015PU

 

 
Back to Top

 


 
.