MSD40P03 - описание и поиск аналогов

 

MSD40P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSD40P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MSD40P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD40P03 даташит

 ..1. Size:523K  bruckewell
 msd40p03.pdf pdf_icon

MSD40P03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD40P03 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards

Другие MOSFET... MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MMIS60R580P , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 .

History: MCU20P10 | MCU20N15

 

 

 

 

↑ Back to Top
.