MSD4N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MSD4N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MSD4N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MSD4N60 даташит
msd4n60.pdf
MSD4N60 600V N-Channel MOSFET Description The MSD4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requireme
Другие MOSFET... MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , AO4407A , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 .
History: SPP80N06S2L-H5 | TMAN8N80
History: SPP80N06S2L-H5 | TMAN8N80
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389