Справочник MOSFET. MSD50N03

 

MSD50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  bruckewell
 msd50n03.pdf pdf_icon

MSD50N03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD50N03 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drai

 8.1. Size:229K  bruckewell
 msd50n10.pdf pdf_icon

MSD50N03

MSD50N10 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cor

Другие MOSFET... MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , 8205A , MSD50N10 , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.