Справочник MOSFET. MSD50N10

 

MSD50N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD50N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSD50N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD50N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  bruckewell
 msd50n10.pdf pdf_icon

MSD50N10

MSD50N10 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cor

 8.1. Size:532K  bruckewell
 msd50n03.pdf pdf_icon

MSD50N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD50N03 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drai

Другие MOSFET... MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , IRFP064N , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ | ZXMN6A07F

 

 
Back to Top

 


 
.