Справочник MOSFET. MSD50N10

 

MSD50N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSD50N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MSD50N10

 

 

MSD50N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  bruckewell
 msd50n10.pdf

MSD50N10 MSD50N10

MSD50N10 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cor

 8.1. Size:532K  bruckewell
 msd50n03.pdf

MSD50N10 MSD50N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD50N03 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drai

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top