Справочник MOSFET. MSD50N10

 

MSD50N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD50N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD50N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  bruckewell
 msd50n10.pdf pdf_icon

MSD50N10

MSD50N10 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cor

 8.1. Size:532K  bruckewell
 msd50n03.pdf pdf_icon

MSD50N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD50N03 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drai

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.