MSD50N10 - описание и поиск аналогов

 

MSD50N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSD50N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MSD50N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD50N10 даташит

 ..1. Size:229K  bruckewell
 msd50n10.pdf pdf_icon

MSD50N10

MSD50N10 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cor

 8.1. Size:532K  bruckewell
 msd50n03.pdf pdf_icon

MSD50N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD50N03 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Absolute Maximum Ratings (Tc=25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drai

Другие MOSFET... MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , AO4468 , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 .

History: SPB80N06S2L-07 | NTTFS4C25N | SM4033NHU | STD60N3LH5 | LPN1010C | MSD23N58 | FHP630A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.