Справочник MOSFET. IRFS630A

 

IRFS630A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS630A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS630A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  samsung
 irfs630a.pdf pdf_icon

IRFS630A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.333 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 7.1. Size:284K  1
 irfs630 irfs631.pdf pdf_icon

IRFS630A

 7.2. Size:859K  1
 irf630b irfs630b.pdf pdf_icon

IRFS630A

IRF630B/IRFS630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

 8.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS630A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRF530 , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , IRFS644 .

 

 
Back to Top

 


 
.