MSE20N06N - описание и поиск аналогов

 

MSE20N06N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSE20N06N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MSE20N06N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSE20N06N даташит

 ..1. Size:442K  bruckewell
 mse20n06n.pdf pdf_icon

MSE20N06N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSE20N06N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media Players Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limited

Другие MOSFET... MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 , IRFZ44N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 .

History: E10P02 | SI4447DY | APQ02SN65AH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.