Справочник MOSFET. MSE20N06N

 

MSE20N06N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSE20N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 144 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для MSE20N06N

 

 

MSE20N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  bruckewell
 mse20n06n.pdf

MSE20N06N MSE20N06N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSE20N06N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media Players Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limited

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top