Справочник MOSFET. MSE20N06N

 

MSE20N06N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSE20N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для MSE20N06N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSE20N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  bruckewell
 mse20n06n.pdf pdf_icon

MSE20N06N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSE20N06N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: Battery Powered Instruments Portable Computing Mobile Phones GPS Units and Media Players Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limited

Другие MOSFET... MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 , IRFZ44N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 .

History: 2N60G-E-K08-5060-R | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | PFB2N60 | UTM2054G-AE3-R | AP4533GEH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.