Справочник MOSFET. MSF12N65

 

MSF12N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSF12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MSF12N65

 

 

MSF12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:995K  bruckewell
 msf12n65.pdf

MSF12N65 MSF12N65

MSF12N65 650V N-Channel MOSFET Description The MSF12N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low gate charge ( typical 52nC) High

 7.1. Size:890K  bruckewell
 msf12n60.pdf

MSF12N65 MSF12N65

MSF12N60 600V N-Channel MOSFET Description The MSF12N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requir

Другие MOSFET... MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , IRF1404 , MSF13N50 , MSF14N60 , MSF15N60 , MSF16N50 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 .

 

 
Back to Top