MSF13N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSF13N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSF13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  bruckewell
 msf13n50.pdf pdf_icon

MSF13N50

MSF13N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF13N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Typical 0.48 )@VGS=10V Ga

Другие MOSFET... MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , IRFP460 , MSF14N60 , MSF15N60 , MSF16N50 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 .

History: AP90T10GP-HF | AP2535GEY | SWD078R08E8T | STP26N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.