MSF14N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSF14N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSF14N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF14N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF14N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  bruckewell
 msf14n60.pdf pdf_icon

MSF14N60

MSF14N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS14N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Sim

Другие MOSFET... MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 , IRF640 , MSF15N60 , MSF16N50 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 , MSF3N80 .

History: FTK3610 | IRF7706G | STW20N65M5 | MSF20N50 | JSM6764 | SFR9220 | IPP023N04N

 

 
Back to Top

 


 
.