IRFS634A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS634A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS634A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS634A даташит

 ..1. Size:505K  samsung
 irfs634a.pdf pdf_icon

IRFS634A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.45 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) 0.327 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 7.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS634A

 7.2. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf pdf_icon

IRFS634A

 7.3. Size:858K  fairchild semi
 irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS622, IRFS624, IRFS624A, IRFS625, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, AON7506, IRFS635, IRFS640, IRFS640A, IRFS642, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A