IRFS634A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS634A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS634A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS634A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS634A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  samsung
 irfs634a.pdf pdf_icon

IRFS634A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.45 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) : 0.327 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

 7.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS634A

 7.2. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf pdf_icon

IRFS634A

 7.3. Size:858K  fairchild semi
 irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634A

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , 2N7002 , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , IRFS644 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A .

History: FQPF7N10 | NCE65N900F | HGA059N12S

 

 
Back to Top

 


 
.