Справочник MOSFET. MSF7N80

 

MSF7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSF7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF7N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  bruckewell
 msf7n80.pdf pdf_icon

MSF7N80

MSF7N80 800V N-Channel MOSFET Description The MSF7N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrins

 9.1. Size:253K  motorola
 mmsf7n03hd.pdf pdf_icon

MSF7N80

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMSF7N03HD/DDesigner's Data SheetMMSF7N03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorsSINGLE TMOSPOWER MOSFETMiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 8.0 AMPERESwhich utilize Motorolas High Cell Density HDTMOS process. 30 V

 9.2. Size:193K  motorola
 mmsf7n03zrev0.pdf pdf_icon

MSF7N80

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMSF7N03Z/DDesigner's Data SheetMMSF7N03ZMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-Channel withMonolithic Zener ESDSINGLE TMOSProtected GatePOWER MOSFETEZFETs are an advanced series of power MOSFETs which utilize 7.5 AMPERESMotorolas High Cell Density TMOS process and

 9.3. Size:296K  motorola
 mmsf7n03hdrev3.pdf pdf_icon

MSF7N80

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMSF7N03HD/DDesigner's Data SheetMMSF7N03HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorsSINGLE TMOSPOWER MOSFETMiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 8.0 AMPERESwhich utilize Motorolas High Cell Density HDTMOS process. 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MSF5N60 , MSF6N40 , MSF6N60 , MSF6N65 , MSF6N70 , MSF6N90 , MSF7N60 , MSF7N65 , IRFP260 , MSF8N50 , MSF8N60 , MSF8N80 , MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 .

History: IXTH1N200P3HV | SFS15R065PNF | APT6040SVFR | 2SK3133L | BSC054N04NSG | CS6N70FB9D | 2SK2892-01R

 

 
Back to Top

 


 
.