MSF8N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSF8N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
MSF8N50 Datasheet (PDF)
msf8n50.pdf
MSF8N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF8N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features BVDSS=550V typically @ Tj=150C Low On
msf8n80.pdf
MSF8N80 800V N-Channel MOSFET Description The MSF8N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (typ 1.3 )@VGS=10V Gate Char
msf8n60.pdf
MSF8N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF8N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Sim
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
