Справочник MOSFET. MSF9N20

 

MSF9N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSF9N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15.8 nC
   Время нарастания (tr): 17.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 81 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MSF9N20

 

 

MSF9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  bruckewell
 msf9n20.pdf

MSF9N20 MSF9N20

MSF9N20 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Description The MSF9N20 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low RDS(on) trench technology Lo

 9.1. Size:811K  bruckewell
 msf9n90.pdf

MSF9N20 MSF9N20

MSF9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MSF9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charg

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top