Справочник MOSFET. MSF9N20

 

MSF9N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSF9N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF9N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  bruckewell
 msf9n20.pdf pdf_icon

MSF9N20

MSF9N20 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Description The MSF9N20 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low RDS(on) trench technology Lo

 9.1. Size:811K  bruckewell
 msf9n90.pdf pdf_icon

MSF9N20

MSF9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MSF9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charg

Другие MOSFET... MSF6N70 , MSF6N90 , MSF7N60 , MSF7N65 , MSF7N80 , MSF8N50 , MSF8N60 , MSF8N80 , IRF4905 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T .

 

 
Back to Top

 


 
.