Справочник MOSFET. MSF9N20

 

MSF9N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSF9N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MSF9N20

 

 

MSF9N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  bruckewell
 msf9n20.pdf

MSF9N20 MSF9N20

MSF9N20 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Description The MSF9N20 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low RDS(on) trench technology Lo

 9.1. Size:811K  bruckewell
 msf9n90.pdf

MSF9N20 MSF9N20

MSF9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MSF9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charg

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top