Справочник MOSFET. MSK2N60F

 

MSK2N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSK2N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 59.4 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MSK2N60F

 

 

MSK2N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  taitron
 msk2n60f msk2n60t.pdf

MSK2N60F MSK2N60F

600V/2.0A N-Channel MOSFET MSK2N60T/F600V/2.0A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=2.0A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =5.0 @ VGS=10V Qg(typ.)=10.9nC RoHS C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUK444-600A

 

 
Back to Top