IRFS635. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS635

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS635

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS635 даташит

 ..1. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf pdf_icon

IRFS635

 8.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS635

 8.2. Size:284K  1
 irfs630 irfs631.pdf pdf_icon

IRFS635

 8.3. Size:859K  1
 irf630b irfs630b.pdf pdf_icon

IRFS635

IRF630B/IRFS630B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS624, IRFS624A, IRFS625, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, STP80NF70, IRFS640, IRFS640A, IRFS642, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A