IRFS635 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS635 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS635
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS635

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS635 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf pdf_icon

IRFS635

 8.1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS635

 8.2. Size:284K  1
 irfs630 irfs631.pdf pdf_icon

IRFS635

 8.3. Size:859K  1
 irf630b irfs630b.pdf pdf_icon

IRFS635

IRF630B/IRFS630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , 20N50 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , IRFS644 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A .

 

 
Back to Top

 


 
.