MSK4D5N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSK4D5N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSK4D5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK4D5N60F даташит

 ..1. Size:617K  taitron
 msk4d5n60f msk4d5n60t.pdf pdf_icon

MSK4D5N60F

600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F 600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C

Другие IGBT... MSF8N80, MSF9N20, MSF9N70, MSF9N90, MSK19N03, MSK1N3, MSK2N60F, MSK2N60T, SKD502T, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F