IRFS640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS640 даташит

 ..1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS640

 0.1. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640

 0.2. Size:922K  fairchild semi
 irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640

 0.3. Size:508K  samsung
 irfs640a.pdf pdf_icon

IRFS640

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.144 (Typ. ) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS624A, IRFS625, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFP450, IRFS640A, IRFS642, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A