MSP2301N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSP2301N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSP2301N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MSP2301N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSP2301N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  bruckewell
 msp2301n3.pdf pdf_icon

MSP2301N3

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell.com/semicon 20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFETProduct Specification MSP2301N3 FEATURES: VDS=-20V RDS(ON)=130m@VGS=-4.5V, IDS=-2.8A RDS(ON)=190m@VGS=-2.5V, VDS=-20V RDS(ON)=130m@VGS=-4.5V, IDS=-2A Advanced trench process technology IDS=-2.8A RDS(ON)=190m@VGS=-2.5V, High density cell design

Другие MOSFET... MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , IRFP450 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 .

 

 
Back to Top

 


 
.