MSP2301N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSP2301N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSP2301N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSP2301N3 даташит

 ..1. Size:1196K  bruckewell
 msp2301n3.pdf pdf_icon

MSP2301N3

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell.com/semicon 20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFETProduct Specification MSP2301N3 FEATURES VDS=-20V RDS(ON)=130m @VGS=-4.5V, IDS=-2.8A RDS(ON)=190m @VGS=-2.5V, VDS=-20V RDS(ON)=130m @VGS=-4.5V, IDS=-2A Advanced trench process technology IDS=-2.8A RDS(ON)=190m @VGS=-2.5V, High density cell design

Другие IGBT... MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, NCEP15T14, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33