MSQ4N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSQ4N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSQ4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: QFN5X6
 

 Аналог (замена) для MSQ4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  bruckewell
 msq4n60.pdf pdf_icon

MSQ4N60

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ4N60 Description The MSQ4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which

Другие MOSFET... MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , 20N50 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D .

History: SRT03N016L | DCC060M65G2 | HM4803

 

 
Back to Top

 


 
.