MSQ4N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ4N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: QFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ4N60 даташит

 ..1. Size:287K  bruckewell
 msq4n60.pdf pdf_icon

MSQ4N60

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ4N60 Description The MSQ4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which

Другие IGBT... MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, IRFP450, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D