IRFS640A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS640A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS640A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS640A даташит

 ..1. Size:508K  samsung
 irfs640a.pdf pdf_icon

IRFS640A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.144 (Typ. ) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 7.1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS640A

 7.2. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640A

 7.3. Size:922K  fairchild semi
 irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS640A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS625, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, TK10A60D, IRFS642, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720