MSQ94P33 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ94P33  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ94P33

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ94P33 даташит

 ..1. Size:934K  bruckewell
 msq94p33.pdf pdf_icon

MSQ94P33

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ94P33 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Key Features These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powere

Другие IGBT... MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, IRFP250, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40