MSQ94P33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MSQ94P33
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MSQ94P33 Datasheet (PDF)
msq94p33.pdf

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ94P33 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Key Features: These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powere
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: NTD60N02R-035 | SI7913DN | WML28N60C4 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F
History: NTD60N02R-035 | SI7913DN | WML28N60C4 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290