MSS34N40 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MSS34N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8PP
Аналог (замена) для MSS34N40
MSS34N40 Datasheet (PDF)
mss34n40.pdf

PRELIMINARY Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSS34N40 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS PRELIMI
Другие MOSFET... MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , 5N65 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F .
History: KIA2N60H-252 | STW37N60DM2AG | SSG6680 | KIA3400 | FCH170N60 | BRD18N06
History: KIA2N60H-252 | STW37N60DM2AG | SSG6680 | KIA3400 | FCH170N60 | BRD18N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726