MSS34N40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSS34N40  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8PP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSS34N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSS34N40 даташит

 ..1. Size:161K  bruckewell
 mss34n40.pdf pdf_icon

MSS34N40

PRELIMINARY Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSS34N40 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS PRELIMI

Другие IGBT... MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, 2SK3568, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F