MSU11N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU11N50Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU11N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU11N50Q даташит

 ..1. Size:398K  taitron
 msu11n50q.pdf pdf_icon

MSU11N50Q

500V/11A POWER MOSFET (N-Channel) MSU11N50Q 500V/11A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU11N50Q is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high TO-262 energy pulse in the avalanche and commu

Другие IGBT... MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, RFP50N06, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T