Справочник MOSFET. MSU11N50Q

 

MSU11N50Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSU11N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
   Время нарастания (tr): 70 ns
   Выходная емкость (Cd): 185 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для MSU11N50Q

 

 

MSU11N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  taitron
 msu11n50q.pdf

MSU11N50Q MSU11N50Q

500V/11A POWER MOSFET (N-Channel) MSU11N50Q 500V/11A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU11N50Q is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high TO-262 energy pulse in the avalanche and commu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top