Справочник MOSFET. MSU11N50Q

 

MSU11N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU11N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для MSU11N50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU11N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  taitron
 msu11n50q.pdf pdf_icon

MSU11N50Q

500V/11A POWER MOSFET (N-Channel) MSU11N50Q 500V/11A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU11N50Q is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high TO-262 energy pulse in the avalanche and commu

Другие MOSFET... MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , SKD502T , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T .

 

 
Back to Top

 


 
.