MSU2N60U datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MSU2N60U 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MSU2N60U
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MSU2N60U даташит
msu2n60s.pdf
MSU2N60S 600V N-Channel MOSFET Description The MSU2N60S is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Rugged Gate Oxide Technology Extremely
msu2n60.pdf
600V/2.0A POWER MOSFET (N-Channel) MSU2N60 600V/2.0A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU2N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati
msu2n70.pdf
MSU2N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSU2N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technolo
Другие IGBT... MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D, P60NF06, MSU2N60S, MSU2N70, MSU4D5N50Q, MSU4N40, MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50
History: SSF11NS60 | AGM6014AP | 2SK3673-01MR | SI5908DC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217



