MSU4N60S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU4N60S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU4N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU4N60S даташит

 7.1. Size:381K  bruckewell
 msu4n60 s.pdf pdf_icon

MSU4N60S

Preliminary MSU4N60_S 600V N-Channel MOSFET Description The MSU4N60_S is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design V

 7.2. Size:694K  bruckewell
 msu4n60.pdf pdf_icon

MSU4N60S

MSU4N60 600V N-Channel MOSFET Description The MSU4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requireme

 8.1. Size:707K  bruckewell
 msu4n65.pdf pdf_icon

MSU4N60S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSU2N60F, MSU2N60D, MSU2N60U, MSU2N60S, MSU2N70, MSU4D5N50Q, MSU4N40, MSU4N60, 7N60, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q