MSU4N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU4N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU4N65 даташит

 ..1. Size:707K  bruckewell
 msu4n65.pdf pdf_icon

MSU4N65

 8.1. Size:381K  bruckewell
 msu4n60 s.pdf pdf_icon

MSU4N65

Preliminary MSU4N60_S 600V N-Channel MOSFET Description The MSU4N60_S is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design V

 8.2. Size:694K  bruckewell
 msu4n60.pdf pdf_icon

MSU4N65

MSU4N60 600V N-Channel MOSFET Description The MSU4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requireme

 9.1. Size:776K  bruckewell
 msu4n40.pdf pdf_icon

MSU4N65

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSU2N60D, MSU2N60U, MSU2N60S, MSU2N70, MSU4D5N50Q, MSU4N40, MSU4N60, MSU4N60S, IRFZ48N, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P