MSU5N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU5N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU5N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU5N50 даташит

 ..1. Size:595K  bruckewell
 msu5n50.pdf pdf_icon

MSU5N50

MSU5N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSU5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Rugged Gate Oxide

 9.1. Size:475K  taitron
 msu5n60.pdf pdf_icon

MSU5N50

600V/4.5A POWER MOSFET (N-Channel) MSU5N60 600V/4.5A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU5N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

Другие IGBT... MSU2N60U, MSU2N60S, MSU2N70, MSU4D5N50Q, MSU4N40, MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, IRFZ46N, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80