MSU5N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU5N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU5N60F даташит

 7.1. Size:475K  taitron
 msu5n60.pdf pdf_icon

MSU5N60F

600V/4.5A POWER MOSFET (N-Channel) MSU5N60 600V/4.5A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU5N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

 9.1. Size:595K  bruckewell
 msu5n50.pdf pdf_icon

MSU5N60F

MSU5N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSU5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Rugged Gate Oxide

Другие IGBT... MSU2N70, MSU4D5N50Q, MSU4N40, MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, IRLB3034, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50