IRFS644A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS644A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS644A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS644A даташит

 ..1. Size:504K  samsung
 irfs644a.pdf pdf_icon

IRFS644A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.28 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 7.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) 0.214 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 7.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS644A

 7.2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS644A

 7.3. Size:898K  fairchild semi
 irfs644b.pdf pdf_icon

IRFS644A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, IRFS640A, IRFS642, IRFS644, 4N60, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722