Справочник MOSFET. IRFS644A

 

IRFS644A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS644A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS644A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS644A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  samsung
 irfs644a.pdf pdf_icon

IRFS644A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) : 0.214 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

 7.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS644A

 7.2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS644A

 7.3. Size:898K  fairchild semi
 irfs644b.pdf pdf_icon

IRFS644A

November 2001IRF644B/IRFS644B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , IRFS644 , 10N65 , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A , IRFS721 , IRFS722 .

History: AP6942GMT | 2SK4067I | AP4P016P | ZXMP6A17GTA | SVS14N65SD2 | IXFH170N10P | IXFV18N90PS

 

 
Back to Top

 


 
.