Справочник MOSFET. MSW10N80

 

MSW10N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSW10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P TO-247
 

 Аналог (замена) для MSW10N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  bruckewell
 msw10n80.pdf pdf_icon

MSW10N80

Preliminary MSW10N80 800V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (typ 0.65 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 55nC) Improved dv/dt Capability, High Ru

Другие MOSFET... MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MMD60R360PRH , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 .

History: IRLHM630 | 2SK2436 | TK10E60W | NCE0106R | AP3P010M

 

 
Back to Top

 


 
.