MSW10N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSW10N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-3P TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSW10N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW10N80 даташит

 ..1. Size:412K  bruckewell
 msw10n80.pdf pdf_icon

MSW10N80

Preliminary MSW10N80 800V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (typ 0.65 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 55nC) Improved dv/dt Capability, High Ru

Другие IGBT... MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, RU7088R, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3