Справочник MOSFET. MSW11N90

 

MSW11N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSW11N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для MSW11N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW11N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  bruckewell
 msw11n90.pdf pdf_icon

MSW11N90

MSW11N90 900V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Max 1.1 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 70nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

Другие MOSFET... MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , 2N7002 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 .

History: ALD1106PBL | MTP15N05 | IRFS3307ZTRL

 

 
Back to Top

 


 
.