MSW11N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSW11N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSW11N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW11N90 даташит

 ..1. Size:695K  bruckewell
 msw11n90.pdf pdf_icon

MSW11N90

Другие IGBT... MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MMIS60R580P, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3