MSW16N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSW16N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-3P TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSW16N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW16N50 даташит

 ..1. Size:871K  bruckewell
 msw16n50.pdf pdf_icon

MSW16N50

MSW16N50 500V N-Channel MOSFET Description TO-247 This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features Originative New Design Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics

Другие IGBT... MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, AOD4184A, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3