MSW16N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MSW16N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-3P TO-247
Аналог (замена) для MSW16N50
MSW16N50 Datasheet (PDF)
msw16n50.pdf

MSW16N50 500V N-Channel MOSFET Description TO-247 This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features Originative New Design Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics
Другие MOSFET... MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , HY1906P , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 .
History: IRFPS29N60LPBF | NTNUS3171PZT5G | SUD80460E | IPA70R900P7S | ALD1116PAL | ISCNH340B
History: IRFPS29N60LPBF | NTNUS3171PZT5G | SUD80460E | IPA70R900P7S | ALD1116PAL | ISCNH340B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor