Справочник MOSFET. IRFS645

 

IRFS645 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS645
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS645 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS645

 8.1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS645

 8.2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS645

 8.3. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS645

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , IRFS644 , IRFS644A , IRF2807 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A , IRFS721 , IRFS722 , IRFS723 .

History: AP6N3R5LIN | RFD14N05 | VBZM60N06 | SDF04N65 | BRCS035N03ZC | AP4506GEM | WNM2024

 

 
Back to Top

 


 
.