IRFS645. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS645

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS645

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS645 даташит

 ..1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS645

 8.1. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS645

 8.2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS645

 8.3. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS645

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, IRFS640A, IRFS642, IRFS644, IRFS644A, IRFP250, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722, IRFS723