MTB080N15J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB080N15J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
trⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB080N15J3
MTB080N15J3 Datasheet (PDF)
mtb080n15j3.pdf
Spec. No. : C987J3 Issued Date : 2015.02.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTB080N15J3 ID @VGS=10V, TC=25C 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 82.3m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 85.8m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free pack
mtb08n04j3.pdf
Spec. No. : C892J3 Issued Date : 2014.05.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB08N04J3 ID @VGS=10V 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 5.4m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 9.0m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F