MTB080N15J3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTB080N15J3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTB080N15J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB080N15J3 даташит

 ..1. Size:371K  cystek
 mtb080n15j3.pdf pdf_icon

MTB080N15J3

Spec. No. C987J3 Issued Date 2015.02.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB080N15J3 ID @VGS=10V, TC=25 C 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 82.3m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 85.8m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free pack

 9.1. Size:363K  cystek
 mtb08n04j3.pdf pdf_icon

MTB080N15J3

Spec. No. C892J3 Issued Date 2014.05.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB08N04J3 ID @VGS=10V 60A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 5.4m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 9.0m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C

Другие IGBT... MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3, IRF740, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8, MTB20N04J3, MTB23P06VT4, MTB25C04Q8