Справочник MOSFET. MTB080N15J3

 

MTB080N15J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB080N15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTB080N15J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB080N15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  cystek
 mtb080n15j3.pdf pdf_icon

MTB080N15J3

Spec. No. : C987J3 Issued Date : 2015.02.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTB080N15J3 ID @VGS=10V, TC=25C 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 82.3m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 85.8m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free pack

 9.1. Size:363K  cystek
 mtb08n04j3.pdf pdf_icon

MTB080N15J3

Spec. No. : C892J3 Issued Date : 2014.05.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB08N04J3 ID @VGS=10V 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 5.4m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 9.0m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C

Другие MOSFET... MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , IRF740 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , MTB160N25J3 , MTB20A06Q8 , MTB20N04J3 , MTB23P06VT4 , MTB25C04Q8 .

History: WMM15N65F2 | IRF7380Q | NCE4005 | SSFD4024 | SUN0760F | NCE2304 | NCEP029N10D

 

 
Back to Top

 


 
.