MTB20N04J3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTB20N04J3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTB20N04J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB20N04J3 даташит

 ..1. Size:366K  cystek
 mtb20n04j3.pdf pdf_icon

MTB20N04J3

Spec. No. C978J3 Issued Date 2015.01.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB20N04J3 ID@VGS=10V, TC=25 C 23A ID@VGS=10V, TC=100 C 16.3A VGS=10V, ID=10A 17.5m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=8A 20.8m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package

 7.1. Size:367K  cystek
 mtb20n03aq8.pdf pdf_icon

MTB20N04J3

Spec. No. C737Q8 Issued Date 2009.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.01 Page No. 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTB20N03AQ8 ID 10.2A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 13.6 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=7A 23.6 m (typ) Description The MTB20N03AQ8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

 7.2. Size:498K  cystek
 mtb20n06kj3.pdf pdf_icon

MTB20N04J3

Spec. No. C103J3 Issued Date 2015.12.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.04.12 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB20N06KJ3 ID@VGS=10V, TC=25 C 38A ID@VGS=10V, TA=25 C 8.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=8A 13.4 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=6A 15.9 m (typ) RDS(ON)@VGS=4V, ID=4A 17.2 m (typ) Low On Resistance

 7.3. Size:312K  cystek
 mtb20n06j3.pdf pdf_icon

MTB20N04J3

Spec. No. C925J3 Issued Date 2013.08.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB20N06J3 ID 42A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 14.6 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 16.7 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8, IRFP460, MTB23P06VT4, MTB25C04Q8, MTB2D5N03BH8, MTB2P50ET4G, MTB300N10L3, MTB30P06VT4, MTB30P06VT4G, MTB3D0N03BH8