Справочник MOSFET. MTB5D0P03J3

 

MTB5D0P03J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB5D0P03J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 739 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTB5D0P03J3

 

 

MTB5D0P03J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  cystek
 mtb5d0p03j3.pdf

MTB5D0P03J3 MTB5D0P03J3

Spec. No. : C965J3 Issued Date : 2014.09.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB5D0P03J3 ID @VGS=-10V -88ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A 3.7m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 5.1m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equ

 5.1. Size:371K  cystek
 mtb5d0p03q8.pdf

MTB5D0P03J3 MTB5D0P03J3

Spec. No. : C965Q8 Issued Date : 2014.12.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB5D0P03Q8 ID@VGS=-10V, TA=25C -20A ID@VGS=-4.5V, TA=25C -16A ID@VGS=-10V, TC=25C -28A ID@VGS=-4.5V, TC=25C -22A RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 3.0m(typ) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-17A 4.2m(typ) Simple d

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top