MTB5D0P03Q8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTB5D0P03Q8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 849 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTB5D0P03Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB5D0P03Q8 даташит

 ..1. Size:371K  cystek
 mtb5d0p03q8.pdf pdf_icon

MTB5D0P03Q8

Spec. No. C965Q8 Issued Date 2014.12.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB5D0P03Q8 ID@VGS=-10V, TA=25 C -20A ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -16A ID@VGS=-10V, TC=25 C -28A ID@VGS=-4.5V, TC=25 C -22A RDSON@VGS=-10V, ID=-20A 3.0m (typ) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-17A 4.2m (typ) Simple d

 5.1. Size:371K  cystek
 mtb5d0p03j3.pdf pdf_icon

MTB5D0P03Q8

Spec. No. C965J3 Issued Date 2014.09.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB5D0P03J3 ID @VGS=-10V -88A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A 3.7m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 5.1m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equ

Другие IGBT... MTB300N10L3, MTB30P06VT4, MTB30P06VT4G, MTB3D0N03BH8, MTB50P03HDLG, MTB50P03HDLT4, MTB50P03HDLT4G, MTB5D0P03J3, IRFB4115, MTB60P15H8, MTB6D0N03BH8, MTB75N05HDT4, MTBA5C10V8, MTBA6C12Q8, MTBA6C15J4, MTBA6C15Q8, APM1105NU