APM4050BPU datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: APM4050BPU 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO-252-3
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для APM4050BPU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APM4050BPU даташит
apm4050bpu.pdf
APM4050BPU P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D -40V/-25A, RDS(ON)=33m (typ.) @ VGS=-10V S RDS(ON)=59m (typ.) @ VGS=-4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-252-3 (RoHS Compliant) S Applications G Power Management in LCD/TV Inverter. D P-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package
apm4050pu.pdf
APM4050PU P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -40V/-25A, RDS(ON)=33m (typ.) @ VGS=-10V G D RDS(ON)=47m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design S Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS S Compliant) Applications G Power Management in LCD/TV Inverter D P-Channel MOSFET Ordering and Mar
apm4050apu.pdf
APM4050APU P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -40V/-25A, RDS(ON)=33m (typ.) @ VGS=-10V G D RDS(ON)=47m (typ.) @ VGS=-4.5V S Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free Available (RoHS Compliant) S Applications Inverter application in LCD Monitor/TV G D P-Channel MOSFET Ordering and Marking Informatio
apm4050puc.pdf
APM4050PUC www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.015 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, u
Другие IGBT... APM1106K, APM1110K, APM1110NU, APM1110NUB, APM2055NU, APM2303A, APM2304A, APM4030BNU, IRFP260, APM4927K, APM6010K, APM6055NU, APM8010K, APM9988QG, APQ01SN60AA, APQ01SN60AB, APQ02SN60A
History: AGM605F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor





