Справочник MOSFET. APQ01SN60AB

 

APQ01SN60AB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ01SN60AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ01SN60AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:717K  alpha pacific
 apq01sn60ab.pdf pdf_icon

APQ01SN60AB

DEVICE SPECIFICATION APQ01SN60AA APQ01SN60AB 600V/1A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =7.9(typ) VGS =10V, ID =0.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:717K  alpha pacific
 apq01sn60aa.pdf pdf_icon

APQ01SN60AB

DEVICE SPECIFICATION APQ01SN60AA APQ01SN60AB 600V/1A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =7.9(typ) VGS =10V, ID =0.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие MOSFET... APM4030BNU , APM4050BPU , APM4927K , APM6010K , APM6055NU , APM8010K , APM9988QG , APQ01SN60AA , 18N50 , APQ02SN60A , APQ02SN60AA , APQ02SN60AB , APQ02SN60AF , APQ02SN60AH , APQ02SN65AA , APQ02SN65AB , APQ02SN65AF .

History: IRFP240A | RU1HL8L | TSM4946DCS | KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | FDMC86160

 

 
Back to Top

 


 
.