Справочник MOSFET. IRFS720A

 

IRFS720A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFS720A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFS720A

 

 

IRFS720A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  samsung
 irfs720a.pdf

IRFS720A IRFS720A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 1.408 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 7.1. Size:295K  1
 irfs720 irfs721 irfs722 irfs723.pdf

IRFS720A IRFS720A

 7.2. Size:284K  1
 irfs720 irfs721.pdf

IRFS720A IRFS720A

 7.3. Size:880K  1
 irf720b irfs720b.pdf

IRFS720A IRFS720A

November 2001IRF720B/IRFS720B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 400V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... IRFS642 , IRFS644 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , SKD502T , IRFS721 , IRFS722 , IRFS723 , IRFS730 , IRFS730A , IRFS731 , IRFS732 , IRFS733 .

 

 
Back to Top