IRFS720A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS720A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS720A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS720A даташит

 ..1. Size:501K  samsung
 irfs720a.pdf pdf_icon

IRFS720A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 1.408 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 7.1. Size:295K  1
 irfs720 irfs721 irfs722 irfs723.pdf pdf_icon

IRFS720A

 7.2. Size:284K  1
 irfs720 irfs721.pdf pdf_icon

IRFS720A

 7.3. Size:880K  1
 irf720b irfs720b.pdf pdf_icon

IRFS720A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS642, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, RFP50N06, IRFS721, IRFS722, IRFS723, IRFS730, IRFS730A, IRFS731, IRFS732, IRFS733