Справочник MOSFET. APQ06SN60AH

 

APQ06SN60AH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ06SN60AH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для APQ06SN60AH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ06SN60AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  alpha pacific
 apq06sn60ah.pdf pdf_icon

APQ06SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ06SN60AH APQ06SN60AF 600V/6A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 6A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.0(typ)VGS =10V, ID =3.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:377K  alpha pacific
 apq06sn60a.pdf pdf_icon

APQ06SN60AH

DEVICE SPECIFICATION apQ06SN60A(F)600V/6A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 6A RDS(on) =1.0(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =3.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

 4.2. Size:661K  alpha pacific
 apq06sn60af.pdf pdf_icon

APQ06SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ06SN60AH APQ06SN60AF 600V/6A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 6A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.0(typ)VGS =10V, ID =3.6A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 6.1. Size:633K  alpha pacific
 apq06sn65af apq06sn65ah.pdf pdf_icon

APQ06SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ06SN65AH APQ06SN65AF 650V/6A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 650V / 6A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.2(typ)VGS =10V, ID =3A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SFT1446

 

 
Back to Top

 


 
.