Справочник MOSFET. APQ07SN80BH

 

APQ07SN80BH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ07SN80BH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для APQ07SN80BH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ07SN80BH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  alpha pacific
 apq07sn80bf apq07sn80bh.pdf pdf_icon

APQ07SN80BH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN80BHAPQ07SN80BF 800V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 800V / 7A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.3(typ)VGS =10V, ID =3.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to m

 7.1. Size:663K  alpha pacific
 apq07sn60af.pdf pdf_icon

APQ07SN80BH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN60AH APQ07SN60AF 600V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 7A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.9 (typ.)VGS =10V, ID =3.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t

 7.2. Size:745K  alpha pacific
 apq07sn65ah.pdf pdf_icon

APQ07SN80BH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN65AH APQ07SN65AF 650V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 7A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 1.0(typ)VGS = 10 V ,ID =3.45A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

 7.3. Size:745K  alpha pacific
 apq07sn65af.pdf pdf_icon

APQ07SN80BH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN65AH APQ07SN65AF 650V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 7A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 1.0(typ)VGS = 10 V ,ID =3.45A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MSQ7434N

 

 
Back to Top

 


 
.