APQ08SN50B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APQ08SN50B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APQ08SN50B
APQ08SN50B Datasheet (PDF)
apq08sn50b.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ08SN50B(F)500V/8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A , RDS(on) =0.72(typ)@ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on
apq08sn50be.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ08SN50BE 500V/8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A , effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.72(typ) VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o
apq08sn50bf apq08sn50bh.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ08SN50BH APQ08SN50BF 500V/8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.72(typ) VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640