APQ12SN60AF - описание и поиск аналогов

 

APQ12SN60AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ12SN60AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для APQ12SN60AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ12SN60AF даташит

 ..1. Size:754K  alpha pacific
 apq12sn60af.pdf pdf_icon

APQ12SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ12SN60AH APQ12SN60AF 600V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 12A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.52 (typ) VGS = 10 V ,ID =7.2A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tai

 4.1. Size:754K  alpha pacific
 apq12sn60ah.pdf pdf_icon

APQ12SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ12SN60AH APQ12SN60AF 600V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 12A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.52 (typ) VGS = 10 V ,ID =7.2A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tai

 4.2. Size:458K  alpha pacific
 apq12sn60a.pdf pdf_icon

APQ12SN60AF

DEVICE SPECIFICATION apQ12SN60A(F) 600V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 12A RDS(on) = 0.52 (typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =7.2A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mini

 6.1. Size:706K  alpha pacific
 apq12sn65af apq12sn65ah.pdf pdf_icon

APQ12SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ12SN65AH APQ12SN65AF 650V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 12A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.6 (typ) VGS = 10 V ,ID =6A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APQ10SN60AH , APQ10SN65AF , APQ10SN65AH , APQ110SN5EA , APQ110SN5EAD , APQ110SN5EAH , APQ11BSN40A , APQ12SN60A , 20N60 , APQ12SN60AH , APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH .

History: SUN830F | IPI600N25N3

 

 

 


 
↑ Back to Top
.