Справочник MOSFET. APQ14SN65AF

 

APQ14SN65AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ14SN65AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для APQ14SN65AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ14SN65AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  alpha pacific
 apq14sn65af apq14sn65ah.pdf pdf_icon

APQ14SN65AF

DEVICE SPECIFICATION APQ14SN65AH APQ14SN65AF 650V/14A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 14A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.55(typ)VGS = 10 V ,ID =7A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.