Справочник MOSFET. APQ14SN65AF

 

APQ14SN65AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ14SN65AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ14SN65AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  alpha pacific
 apq14sn65af apq14sn65ah.pdf pdf_icon

APQ14SN65AF

DEVICE SPECIFICATION APQ14SN65AH APQ14SN65AF 650V/14A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 14A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.55(typ)VGS = 10 V ,ID =7A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCEP040NH150LL | PMN70XPE | STU5025NL2 | NTP2955 | TMA10N65H | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.